依附领先的技能立异、成熟的量产能力与优秀的体系体现，SW1192还有获选为2026年度中国IC设计成绩奖之热点IC产物奖：年度电源治理IC。 【2026年4月1日，中国上海】于由AspenCore主理的IICShanghai-2026国际集成电路博览会暨钻研会时期，珠海智融科技株式会社重磅产物可直驱碳化硅(SiC)高频准谐振模式反激节制器SW1192。依附领先的技能立异、成熟的量产能力与优秀的体系体现，SW1192还有获选为2026年度中国IC设计成绩奖之热点IC产物奖：年度电源治理IC。VOiesmc 该节制器专为离线式反激电源、PD快充充电器、电源适配器等场景量身打造，是海内首款面向消费级市场、可直驱SiCMOS管的专用节制芯片，解决了传统将SiC引入中小功率充电器时常见的门极驱动与体系繁杂度问题。于弥补海内技能与产物空缺的同时，也为SiC于消费电子范畴范围化落地提供了国产化焦点节制方案。VOiesmc 当前，全世界电源财产正朝着高频化、高功率密度、高能效、高靠得住性标的目的加快进级。碳化硅(SiC)作为第三代半导体焦点质料，依附耐压规模宽、耐高温机能强、导通电阻温度系数优、抗浪涌与短路能力凸起等上风，慢慢成为中高端电源的首选方案。VOiesmc 但传统工业级辅助电源受限在高母线电压，需要采用双管反激的SiMOS方案，成本昂扬，且主流方案多为固定频率、无谷底导通，高压工况下开关损耗显著。即便采用SiC方案，仍需外置专用驱动，成本较高且设计繁杂，难以适配小体积集成需求。VOiesmc 消费电子范畴，PD快充等场景寻求小型化、高集成、高效率、低成本及高靠得住性。当前海内直驱GaN方案虽已经成熟，但消费级直驱SiC反激节制器仍为空缺，并且现有方案依靠外置驱动与繁杂外围，致使成本高、体积年夜、一致性差，制约了SiC器件于消费真个普和。VOiesmc 智融科技SW1192的可直驱特征有用降低了将SiC器件整合到既有反激拓扑时的设计门坎。对于在需要于小体积下统筹高功率与高效率的适配器与充电器产物线，开发者可以借助智融科技提供的参考设计快速完成样机验证与机能评估，削减外置门极驱动、电磁兼容调试与掩护逻辑验证所泯灭的人力与时间成本，加速样机迭代与量产预备。VOiesmc SW1192内置专用DRV驱动级，驱动电压达17V以上，完善适配SiCMOS的驱动要求。产物无需外置驱动电路，显著削减外围器件、降低BOM成本、缩小PCB尺寸，可直接驱动SiCMOS管，助力电源产物进一步小型化与高集成度。。VOiesmc 撑持12V–90V超宽规模VDD供电，适配PD充电器、电池充电器及LED驱动电源等宽规模输出运用，无需外加LDO，降低成本及勤俭PCB空间尺寸。内置输入欠压及过压掩护，可自在应答电网颠簸、多场景供电切换等繁杂工况，于消费电子、工业电源、车载辅助电源等场景均能不变事情，体系兼容性与顺应性年夜幅晋升。VOiesmc 集成精准谷底锁定、谷底导通、频率抖动、软启动等多项准谐振优化技能，可防止谷底频仍切换带来的纹波与噪声恶化，有用降低开关损耗、优化EMI体现，于高频事情状况下依然连结高效率与优良电磁兼容，轻松经由过程列国严苛EMC认证。VOiesmc 兼容QR准谐振、DCM断续导通、BURST突发模式，共同智融科技自研自顺应驱动调治技能，可按照负载状况动态调解驱动强度，优化全负载段效率与同步整流管应力，统筹轻载低待机功耗(<50mW)与满载输出能力，实现更低温升与更低散热成本。VOiesmc 搭载自顺应输出电压的LPS过流掩护、输入过压/欠压掩护、输出开路/短路掩护、内置+外置两重过温掩护等多重安全机制，笼罩全场景异样工况掩护，年夜幅晋升电源体系持久事情靠得住性与不变性。VOiesmc SW1192H已经实现范围化量产，乐成运用在：VOiesmc 实测数据显示，基在SW1192的SiC方案峰值效率达94%以上，温升更低、散热成本更优，比拟传统超结MOS方案体积更小、温度更好、靠得住性更强。VOiesmc 作为海内少数具有SiC、GaN全系列驱动与节制芯片研发能力的企业，智融科技今朝已经构建起笼罩E‑GaN、D‑GaN、SiC驱动的完备产物矩阵。将来，智融科技将继承深耕第三代半导体电源节制赛道，不停拓展消费电子、工业电源、新能源汽车、储能等范畴运用，为全世界客户提供一站式聪明电源解决方案。VOiesmc 珠海智融科技株式会社，建立在2014年，专注数模混淆模仿芯片研发，焦点产物涵盖AC‑DC节制器、DC‑DC转换器、快充和谈芯片、第三代半导体（GaN/SiC）驱动与节制器等，广泛运用在消费电子、工业电源、新能源车载、通讯电源等范畴。公司对峙自立立异，以技能为焦点、以市场为导向，致力在成为全世界顶尖的数字模仿芯片设计公司。VOiesmc
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