CN / EN

bevictor伟德-罗姆EcoGaN™为电源系统的发展打开新的方向

2025-05-01 16:22:29

“近期于罗姆媒领会上,罗姆半导体(北京)有限公司技能中央总司理水原德健师长教师深切解析了该公司于氮化镓技能上的冲破及公司于该范畴的前瞻性产物。着眼在氮化镓的卓着机能、以和现阶段氮化镓利用上的问题,联合罗姆的技能上风,该公司推出了系列EcoGaN 新产物,旨于助力行业实现更小型、更轻巧、更高效的电源解决方案。

近期于罗姆媒领会上,罗姆半导体(北京)有限公司技能中央总司理水原德健师长教师深切解析了该公司于氮化镓技能上的冲破及公司于该范畴的前瞻性产物。着眼在氮化镓的卓着机能、以和现阶段氮化镓利用上的问题,联合罗姆的技能上风,该公司推出了系列EcoGaN 新产物,旨于助力行业实现更小型、更轻巧、更高效的电源解决方案。

水原德健师长教师具体比力了硅、碳化硅及氮化镓三种重要半导体质料的特征,从布局上,硅及碳化硅功率器件凡是是MOSFET,而氮化镓功率器件则是HEMT。硅一直盘踞市场的主导职位地方,而碳化硅及氮化镓则跟着科技的成长崭露头角。于数字化及电气化的时代,功率半导体技能对于电源及驱动体系的机能至关主要。比拟硅,第三代半导体质料具备禁带宽度更宽、高耐压、热导率、电子饱及速率更高的特色,可以或许满意现代电子技能对于半导体质料提出的高温、高功率、高压、高频要求。而同为第三代半导体,比拟碳化硅,氮化镓于高耐压及年夜事情电流方面具备的更年夜上风,有望于100~600V中等耐压规模内,依附其精彩的击穿场强及电子饱及速率,实现低导通电阻及高速开关(高频率事情)机能。

硅、碳化硅及氮化镓的特征随之清楚,运用市场也有了区别,硅可运用于平凡的市场,碳化硅可以运用到更高压的市场,而氮化镓则更多运用到更高频的市场。

从下图可见,碳化硅以年夜功率、高频率特色运用于EV市场,包括逆变器、DC-DC、OBC、办事器电源(一次侧)、太阳能、风能等方面。而氮化镓虽然功率不是尤其年夜,但对于应频率会更高,可以用200kHz以上的高频,合用在数据中央办事器电源、基站电源、小型AC适配器、车载OBC、48V DC-DC等。

EcoGaN 系列霸占氮化镓运用上的难题

氮化镓技能的拥有者也从很少的几家逐渐扩展,罗姆半导体是此中之一,该公司不仅看到了氮化镓的上风,同时于市场最先升温的时辰也看到了其问题地点。好比,于栅极到源极间额定电压低,封装起来比力坚苦。以下图,GaN HEMT是5V电压,而平凡GaN产物是6V, 中间的裕量仅有1V,这便对于产物的靠得住性带来必然的影响,解决这一问题凡是会外加更多的电路,云云不单提高了设计的繁杂度同时带来价格上的增长。而罗姆从客户的角度,乐成地将栅极-源极额定电压从平凡GaN产物的6V提高到8V,晋升了GaN器件电源电路的设计裕度及靠得住性。用本身怪异的技能实现高速开关,可以更年夜水平地优化电源电路的效率。

其代表性产物EcoGaN 系列GNE10xxTB ,150V,40毫欧及8.5毫欧的产物已经在2022年3月量产,其650V,GNP10xxTC产物,也于2023年4月量产,该系列拥有70毫欧,150毫欧两款产物。

Power Stage IC:栅极驱动与GaN HEMT一体化封装

此外,罗姆依附其强盛的功率半导体技能及模仿电源技能为基础,借助Nano Pulse ControlTM(超高速脉冲节制技能)等进步前辈技能,还有推出Power Stage IC,旨于解决氮化镓技能于高频率开关范畴的挑战,鞭策氮化镓器件机能的进一步晋升。这一Power Stage IC的亮点于在将栅极驱动与GaN HEMT一体化封装,为客户提供了更便捷的氮化镓运用方案。以往的电路凡是采用硅的MOSFET,其驱动电压为12V,而氮化镓的驱动电压仅为5V。为相识决这一问题,罗姆推出了Power Stage IC,其栅极驱动器可以或许从12V转到5V,集成于一个紧凑的封装中,使患上客户可以或许直接利用现有电路,极年夜地简化了评估及设计历程。650V EcoGaNTM(GaN HEMT) Power Stage IC具备三年夜特色:作为Power Stage电路的IC,轻松安装GaN器件;可替代现有功率半导体电路;降低损耗,助力产物小型化。与平凡产物比拟,其损耗降低了约55%。同时,采用Power Stage设计,无需年夜型散热板,有用减小体积,提高效率,实现产物的小型化。

连续研发新产物

此后,跟着GaN器件的机能的进一步提高及声势扩充,罗姆将连续推进用在驱动GaN HEMT的、内置节制器的器件及模块的开发,进一步增强电源解决方案。此中包括,具备低导通电阻及高速开关机能的产物 150V耐压产物(第二/三代);内置驱动器及节制器的GaN模块;650V耐压的新封装(TOLL封装)产物等。

关在前述Power Stage IC产物,罗姆规划2024年量产搭载伪谐振AC-DC电路或者功率因数改善电路、以和搭载半桥电路等产物。而且,截至2026年,规划陆续量产将GaN HEMT、栅极驱动IC、节制IC集成于统一封装的产物。罗姆将继承为用户提供各类情势的EcoGaN 解决方案,利便用户越发便捷地搭载GaN器件。

罗姆于氮化镓技能方面的立异,不仅晋升了电源及功率半导体范畴的机能,也为将来的高效、小型及靠得住电源体系的成长打开了新的标的目的。公司致力在于技能立异、产物周全性及客户解决方案上不停逾越,使其成为行业内的领军者,为科技前进及社会成长做出更年夜孝敬。

主 题:英飞凌智能穿着技能改造:PSOC Edge MCU Wi-Fi6 CYW55系列方案解析 时 间:2025.05.13 公 司:英飞凌 增你強

主 题:ADI 数字医疗生命体征监测 (VSM) 解决方案 时 间:2025.05.14 公 司:Arrow ADI-bevictor伟德