“跟着半导体技能的晋升，以SiC及GaN为代表第三代半导体质料愈来愈遭到存眷。与传统硅工艺比拟，SiC及GaN等宽禁带半导体质料可实现更优的导热性、更高的开关速度、更低导通电阻（RDS）以和更小的器件物理尺寸。
跟着半导体技能的晋升，以SiC及GaN为代表第三代半导体质料愈来愈遭到存眷。与传统硅工艺比拟，SiC及GaN等宽禁带半导体质料可实现更优的导热性、更高的开关速度、更低导通电阻（RDS）以和更小的器件物理尺寸。许多传统半导体巨头将其视作将来功率器件新疆场，最近几年来纷纷加码该范畴，这此中包括领先的碳化硅（SiC）功率半导体系体例造商UnitedSiC（结合碳化硅）公司。
近日，UnitedSiC推出了基在其第四代SiC FET进步前辈技能平台的四款器件，让其强盛的业界领先 SiC FET 产物组合更趋完美。该产物的机能取患了冲破性成长，旨于加快于汽车充电、工业充电、电信整流器、数据中央 PFC 直流转换、可再生能源及储能运用中采用宽带隙器件。
这四款新型SiC FET包罗18 mΩ及60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，而且其单元面积通态电阻更低，本征电容也很低。于硬开关运用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），是以其导通损耗及关断损耗都获得降低。于软开关运用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗及更高的频率。这些器件不仅逾越了现有SiC MOSFET竞争产物的机能（不管是于25℃低温还有是125℃高温下事情），并且还有提供了最低的体二极管VF，并具备精彩的反向恢复特征，从而降低了死区损耗并提高了效率。
据UnitedSiC公司FAE司理Richard Chen先容，新产物是市道上首家做到750V的SIC FETs，同类产物电压通常是650V或者650V如下，对于在电动汽车等范畴要求的400/500V总线电压运用，新产物可以为设计职员提供更多的余量并削减其设计约束。
同时，新产物因为与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容，所有的器件均可以用0至+12V栅极电压驱动，可以将他们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT及Si MOSFET栅极驱动器一路利用。
UnitedSiC的产物运用范畴广泛，从DC-DC转换及车载充电到功率因数校订及太阳能逆变器，新产物可以帮忙各行各业的工程师解决他们于满意最高电压及功率要求时所面对的各类挑战。
据悉，UnitedSiC将于将来扩展产物组合，于性价比、散热功率及设计余量等方面实现进一步提高，以帮忙工程师加快立异。
UnitedSiC与中国客户的互助早于2016年头就已经经开展，险些笼罩了所有范畴，包括电动汽车的OBC，DC/DC，驱动；快速充电桩，电信电源，办事器电源，太阳能，储能以和高压断路器等，发卖及技能撑持收集笼罩天下。据悉，UnitedSiC很快会于深圳建立运用试验室，进一步优化对于客户的撑持。
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